Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные AP01P10I
Изображение служит лишь для справки
AP01P10I
- A Power microelectronics
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100V 900mA 1W 520mΩ@10V,0.8A 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
- Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС:true
- Drain Source Voltage (Vdss):100V
- Power Dissipation (Pd):1W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@10V,0.8A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):20pF@15V
- Input Capacitance (Ciss@Vds):553pF@15V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs):4.5nC@4.5V
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура:-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип:1 Piece P-Channel
Со склада 42
Итого $0.00000