Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SPD09N05-VB
Изображение служит лишь для справки
SPD09N05-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 60V 16.9A 41.7W 73mΩ@10V,6.6A 3V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 38
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：60V
- Power Dissipation (Pd)：41.7W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：73mΩ@10V,6.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3V@250uA
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 38
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты