Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IAUMN08S5N013GAUMA1
Изображение служит лишь для справки
IAUMN08S5N013GAUMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PG-HSOG-4-1
- MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Date Sheet
Lagernummer 2180
- 1+： $2.89075
- 10+： $2.72712
- 100+： $2.57276
- 500+： $2.42713
- 1000+： $2.28975
Zwischensummenbetrag $2.89075
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：PG-HSOG-4-1
- РХОС：RoHS Compliant
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
- Id - Непрерывный ток разряда：350 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.3 mOhms
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.8 V
- Зарядная характеристика ворот：138 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Распад мощности：307 W
- Режим канала：Enhancement
- Чувствительный к влажности：Yes
- Производственный партионный объем：2000
- Время задержки отключения типичного：48 ns
- Время типичного задержки включения：24 ns
- Партийные обозначения：IAUMN08S5N013G SP006044711
- Пакетирование：Reel
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：15 ns
Со склада 2180
- 1+： $2.89075
- 10+： $2.72712
- 100+： $2.57276
- 500+： $2.42713
- 1000+： $2.28975
Итого $2.89075
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты