Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI7810DN-T1-E3
Изображение служит лишь для справки
SI7810DN-T1-E3
- VISHAY
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.4A; Idm: 20A
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:100V
- Drain current:5.4A
- Pulsed drain current:20A
- Case:PowerPAK® 1212-8
- Gate-source voltage:±20V
- Монтаж:SMD
- Kind of package:reel
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 0
Итого $0.00000