Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI7942DP-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI7942DP-T1-GE3
- VISHAY
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET x2
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:100V
- Drain current:5.9A
- Pulsed drain current:20A
- Case:PowerPAK® SO8
- Gate-source voltage:±20V
- Монтаж:SMD
- Kind of package:reel
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 0
Итого $0.00000