Изображение служит лишь для справки
PHD10N10E
-
NXP Semiconductors
-
Неклассифицированные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Obsolete (Last Updated: 5 months ago)
- Количество терминалов：2
- Количество элементов：1
- РХОС：Non-Compliant
- Максимальная рабочая температура：175 °C
- Максимальная потеря мощности：60 W
- Непрерывный ток стока (ID)：10 A
- Сопротивление стока к истоку：250 mΩ
- Минимальная разрушающая напряжение：100 V
- REACH SVHC：Yes
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты