(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные PUMH9,115
Изображение служит лишь для справки
PUMH9,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Date Sheet
Lagernummer 4322
- 1+： $0.03537
- 10+： $0.03337
- 100+： $0.03148
- 500+： $0.02970
- 1000+： $0.02802
Zwischensummenbetrag $0.03537
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2002
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
- Форма вывода：GULL WING
- Основной номер части：P*MH9
- Число контактов：6
- Направленность：NPN
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：300mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：100mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- База (R1)：10k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 4322
- 1+： $0.03537
- 10+： $0.03337
- 100+： $0.03148
- 500+： $0.02970
- 1000+： $0.02802
Итого $0.03537
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
