PUMD16,115

Name: Nexperia USA Inc. PUMD16,115
Brand: Nexperia USA Inc.
Rating: 4.9 (15 reviews)

Nexperia USA Inc.
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PEMD16; PUMD16 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k Ohm, R2 = 47 k Ohm
Date Sheet

Lagernummer 7

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：453.59237mg
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：80
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2005
Допуск：5%
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1
Максимальная потеря мощности：300mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MD16
Число контактов：6
Максимальный выходной ток：100mA
Входной напряжение питания：50V
Направленность：NPN, PNP
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：200mW
Применение транзистора：SWITCHING
Ток испытания：5mA
Напряжение Зенера：3.6V
Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
База (R1)：22k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
Высота：6.35mm
Длина：6.35mm
Ширина：6.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 7

Итого $0.00000