(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные PUMB10,115
Изображение служит лишь для справки
PUMB10,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
Date Sheet
Lagernummer 1321
- 1+： $0.07316
- 10+： $0.06902
- 100+： $0.06512
- 500+： $0.06143
- 1000+： $0.05795
Zwischensummenbetrag $0.07316
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：2
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2002
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：MB10
- Число контактов：6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：PNP
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：300mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：100mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：180MHz
- База (R1)：2.2k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1321
- 1+： $0.07316
- 10+： $0.06902
- 100+： $0.06512
- 500+： $0.06143
- 1000+： $0.05795
Итого $0.07316
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
