Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные DDA124EH-7
Изображение служит лишь для справки
DDA124EH-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
Date Sheet
Lagernummer 5435
- 1+： $0.51444
- 10+： $0.48532
- 100+： $0.45785
- 500+： $0.43193
- 1000+： $0.40748
Zwischensummenbetrag $0.51444
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-563, SOT-666
- Number of Pins：6
- Weight：3.005049mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：2
- hFEMin：56
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- HTS Code：8541.21.00.75
- Max Power Dissipation：150mW
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：DDA124
- Pin Count：6
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Dual
- Transistor Type：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：56 @ 5mA 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Transition Frequency：250MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：250MHz
- Resistor - Base (R1)：22k Ω
- Continuous Collector Current：100mA
- Resistor - Emitter Base (R2)：22k Ω
- Height：600μm
- Length：1.6mm
- Width：1.2mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 5435
- 1+： $0.51444
- 10+： $0.48532
- 100+： $0.45785
- 500+： $0.43193
- 1000+： $0.40748
Итого $0.51444
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты