(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN4983FE,LF(CT
Изображение служит лишь для справки
RN4983FE,LF(CT
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Date Sheet
Lagernummer 3219
- 1+： $0.15976
- 10+： $0.15071
- 100+： $0.14218
- 500+： $0.13413
- 1000+： $0.12654
Zwischensummenbetrag $0.15976
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Вес：3.005049mg
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Минимальная частота работы в герцах：70
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Направленность：NPN, PNP
- Каналов количество：2
- Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：-50V
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：250MHz
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-10V
- База (R1)：22k Ω
- Прямоходящий ток коллектора：-100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：22k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 3219
- 1+： $0.15976
- 10+： $0.15071
- 100+： $0.14218
- 500+： $0.13413
- 1000+： $0.12654
Итого $0.15976
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
