EMD22T2R

Name: ROHM Semiconductor EMD22T2R
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.7 (17 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
SOT-563, SOT-666
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Date Sheet

Lagernummer 8000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Количество контактов：6
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：80
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e2
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN COPPER
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности：150mW
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：*MD22
Число контактов：6
Максимальный выходной ток：100mA
Входной напряжение питания：50V
Направленность：NPN, PNP
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：150mW
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 2.5mA
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：250MHz
База (R1)：4.7k Ω
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 8000

Итого $0.00000