(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN1606(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
RN1606(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SC-74, SOT-457
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Date Sheet
Lagernummer 39
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-74, SOT-457
- Количество контактов：6
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Минимальная частота работы в герцах：80
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Максимальная потеря мощности：300mW
- Код соответствия REACH：unknown
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Dual
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Максимальная частота：250MHz
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- База (R1)：4.7k Ω
- Прямоходящий ток коллектора：100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 39
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
