PBLS2003S,115

Name: NXP USA Inc. PBLS2003S,115
Brand: NXP USA Inc.
Rating: 4.6 (16 reviews)

NXP USA Inc.
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA 3A
Количество элементов：2
Рабочая температура (макс.)：150°C
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e4
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：NICKEL PALLADIUM GOLD
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：PBLS2003
Число контактов：8
Код JESD-30：R-PDSO-G8
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Мощность - Макс：1.5W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN AND PNP
Тип транзистора：1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 5mA 5V / 150 @ 2A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA 100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V 20V
Частота перехода：100MHz
Частота - Переход：100MHz
Максимальная потеря мощности (абс.)：1.5W
База (R1)：10k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)：10k Ω
Время выключения максимальное (toff)：205ns
Время включения максимальный (тон)：41ns
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000