(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные BCR183SH6433XTMA1
Изображение служит лишь для справки
BCR183SH6433XTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Date Sheet
Lagernummer 14
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Максимальная потеря мощности：250mW
- Форма вывода：GULL WING
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：250mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 5mA 5V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Частота перехода：200MHz
- Частота - Переход：200MHz
- База (R1)：10k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10k Ω
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 14
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
