Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные ADA114EUQ-7

Изображение служит лишь для справки






ADA114EUQ-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- PREBIAS TRANSISTOR SOT363
Date Sheet
Lagernummer 2407
- 1+: $0.23237
- 10+: $0.21921
- 100+: $0.20680
- 500+: $0.19510
- 1000+: $0.18406
Zwischensummenbetrag $0.23237
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Количество элементов:2
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:BUILT IN BIAS RESISTOR, HIGH RELIABILITY
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PDSO-G6
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс:270mW
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота перехода:250MHz
- Частота - Переход:250MHz
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):30
- База (R1):10k Ω, 10k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):10k Ω, 10k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 2407
- 1+: $0.23237
- 10+: $0.21921
- 100+: $0.20680
- 500+: $0.19510
- 1000+: $0.18406
Итого $0.23237