(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN4987,LF(CT
Изображение служит лишь для справки
RN4987,LF(CT
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Date Sheet
Lagernummer 30000
- 1+： $0.21708
- 10+： $0.20480
- 100+： $0.19320
- 500+： $0.18227
- 1000+： $0.17195
Zwischensummenbetrag $0.21708
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поставщик упаковки устройства：US6
- Вес：6.010099mg
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Минимальная частота работы в герцах：80
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：200mW
- Направленность：NPN, PNP
- Каналов количество：2
- Мощность - Макс：200mW
- Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：250MHz 200MHz
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-6V
- База (R1)：10kOhms
- Прямоходящий ток коллектора：-100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47kOhms
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 30000
- 1+： $0.21708
- 10+： $0.20480
- 100+： $0.19320
- 500+： $0.18227
- 1000+： $0.17195
Итого $0.21708
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
