Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные NSBA123JDXV6T5G

Изображение служит лишь для справки






NSBA123JDXV6T5G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Date Sheet
Lagernummer 516
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя:17 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-563, SOT-666
- Количество контактов:6
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Количество элементов:2
- Минимальная частота работы в герцах:80
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2010
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.047
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-50V
- Максимальная потеря мощности:500mW
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:-100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:NSBA1*
- Число контактов:6
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Dual
- Распад мощности:357mW
- Тип транзистора:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):50V
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:250mV @ 300μA, 10mA
- База (R1):2.2k Ω
- Прямоходящий ток коллектора:-100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 516
Итого $0.00000