(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN1611(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
RN1611(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SC-74, SOT-457
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Date Sheet
Lagernummer 356
- 1+： $0.26867
- 10+： $0.25346
- 100+： $0.23912
- 500+： $0.22558
- 1000+： $0.21281
Zwischensummenbetrag $0.26867
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-74, SOT-457
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：300mW
- Мощность - Макс：300mW
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：10k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 356
- 1+： $0.26867
- 10+： $0.25346
- 100+： $0.23912
- 500+： $0.22558
- 1000+： $0.21281
Итого $0.26867
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
