Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC143EKAT146

Изображение служит лишь для справки






DTC143EKAT146
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Date Sheet
Lagernummer 840000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Покрытие контактов:Copper, Silver, Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов:3
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:30
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2006
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Завершение:SMD/SMT
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.75
- Ток постоянного напряжения - номинальный:50V
- Максимальная потеря мощности:200mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):10
- Основной номер части:DTC143
- Число контактов:3
- Максимальный выходной ток:100mA
- Входной напряжение питания:50V
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:200mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):300mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 500μA, 10mA
- Частота перехода:250MHz
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- Частота - Переход:250MHz
- База (R1):4.7 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора:100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):4.7 k Ω
- Высота:1.1mm
- Длина:2.9mm
- Ширина:1.6mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 840000
Итого $0.00000