SMMUN2211LT1G

Name: ON Semiconductor SMMUN2211LT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (12 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet

Lagernummer 60000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：35
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Максимальная потеря мощности：246mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：MMUN22**L
Число контактов：3
Нормативная Марка：AEC-Q101
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Halogen Free
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：35 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения：50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
База (R1)：10 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 k Ω
Высота：1.01mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.4mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 60000

Итого $0.00000