DTA113TKAT146

Name: ROHM Semiconductor DTA113TKAT146
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.9 (15 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Date Sheet

Lagernummer 18000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：9 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：100
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：DTA113
Число контактов：3
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：200mW
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
База (R1)：1 k Ω
Прямоходящий ток коллектора：-100mA
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 18000

Итого $0.00000