Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC123JMT2L

Изображение служит лишь для справки






DTC123JMT2L
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Date Sheet
Lagernummer 28780
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-723
- Количество контактов:3
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:80
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2004
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.75
- Ток постоянного напряжения - номинальный:50V
- Максимальная потеря мощности:150mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Моментальный ток:100mA
- Основной номер части:DTC123
- Число контактов:3
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:150mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):300mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 250μA, 5mA
- Частота перехода:250MHz
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- Частота - Переход:250MHz
- База (R1):2.2 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора:100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 k Ω
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 28780
Итого $0.00000