Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные BCR198E6327HTSA1
Изображение служит лишь для справки
BCR198E6327HTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
Lagernummer 34589
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：3
- hFEMin：70
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Published：2004
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Voltage - Rated DC：-50V
- Max Power Dissipation：200mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-70mA
- Base Part Number：BCR198
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Transistor Application：SWITCHING
- Halogen Free：Not Halogen Free
- Transistor Type：PNP - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：70 @ 5mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Transition Frequency：190MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：190MHz
- Resistor - Base (R1)：47 k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：47 k Ω
- Width：1.3mm
- Length：2.9mm
- Height：1mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
Со склада 34589
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты