DTC115EET1G

Name: ON Semiconductor DTC115EET1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (10 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
SC-75, SOT-416
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
Date Sheet

Lagernummer 614

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-75, SOT-416
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：80
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：DTC115
Число контактов：3
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：200mW
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Halogen Free
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
База (R1)：100 k Ω
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：100 k Ω
Высота：800μm
Длина：1.65mm
Ширина：900μm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 614

Итого $0.00000