(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1410,LF
Изображение служит лишь для справки
RN1410,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Date Sheet
Lagernummer 8328
- 1+： $0.10158
- 10+： $0.09583
- 100+： $0.09041
- 500+： $0.08529
- 1000+： $0.08046
Zwischensummenbetrag $0.10158
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：200mW
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：4.7 k Ω
Со склада 8328
- 1+： $0.10158
- 10+： $0.09583
- 100+： $0.09041
- 500+： $0.08529
- 1000+： $0.08046
Итого $0.10158
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
