Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTA015EEBTL
Изображение служит лишь для справки
DTA015EEBTL
- ROHM Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-89, SOT-490
- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
- Date Sheet
Lagernummer 50
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:20 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-89, SOT-490
- Вес:29.993795mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:80
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2013
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Максимальная потеря мощности:150mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код JESD-30:R-PDSO-F3
- Выводной напряжение:-70mV
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):150mV
- Максимальный ток сбора:20mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 5mA 10V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:150mV @ 500μA, 5mA
- Максимальная частота:250MHz
- Частота перехода:250MHz
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- Частота - Переход:250MHz
- База (R1):100 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора:-100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):100 k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 50
Итого $0.00000