(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные UNR52A3G0L
Изображение служит лишь для справки
UNR52A3G0L
-
Panasonic Electronic Components
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-85
- TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-85
- Количество контактов：85
- Поставщик упаковки устройства：SMini3-F2
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：80mA
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2008
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：150mW
- Мощность - Макс：150mW
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250mV
- Максимальный ток сбора：80mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：150MHz
- База (R1)：47 kOhms
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 kOhms
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 3000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
