Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные UNR31AMG0L
![](https://static.whisyee.com/dimg/panasonicelectroniccomponents-mazw082h0l-2095.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
UNR31AMG0L
-
Panasonic Electronic Components
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
Date Sheet
Lagernummer 9996
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-723
- Поставщик упаковки устройства:SSSMini3-F1
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Максимальный коллекторный ток (Ic):80mA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2007
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности:100mW
- Мощность - Макс:100mW
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):250mV
- Максимальный ток сбора:80mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:250mV @ 300μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- Частота - Переход:80MHz
- База (R1):2.2 kOhms
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 kOhms
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 9996
Итого $0.00000