(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC643TUT106
Изображение служит лишь для справки
DTC643TUT106
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Date Sheet
Lagernummer 32
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Монтаж：Surface Mount, Through Hole
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
- Количество контактов：3
- Диэлектрический пробой напряжение：20V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：820
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Максимальная потеря мощности：200mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Основной номер части：DTC643
- Число контактов：3
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：20V
- Максимальный ток сбора：600mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：820 @ 50mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 2.5mA, 50mA
- Частота перехода：150MHz
- Максимальное напряжение разрушения：15V
- Частота - Переход：150MHz
- База (R1)：4.7 k Ω
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 32
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
