(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DRA3113Z0L
Изображение служит лишь для справки
DRA3113Z0L
-
Panasonic Electronic Components
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
Date Sheet
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-723
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：DRA3113
- Направленность：PNP
- Конфигурация элемента：Single
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：-50V
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 500μA, 10mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- База (R1)：1 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора：-100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 k Ω
- Высота：470μm
- Длина：1.2mm
- Ширина：800μm
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
