(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные FJN4314RBU
Изображение служит лишь для справки
FJN4314RBU
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Bulk
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
- Положение терминала：BOTTOM
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT APPLICABLE
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT APPLICABLE
- Число контактов：3
- Код JESD-30：O-PBCY-T3
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：300mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：68 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота перехода：200MHz
- Частота - Переход：200MHz
- База (R1)：4.7 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 k Ω
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
