Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные MMUN2116LT1
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-nup2105lt1g-6415.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
MMUN2116LT1
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- -
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:1
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:no
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Код JEDEC-95:TO-236AB
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):160
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50V
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000