Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные EMC4DXV5T1
Изображение служит лишь для справки






EMC4DXV5T1
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- -
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Число контактов:5
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN AND PNP
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):80
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000