(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные BCR135E6433HTMA1
Изображение служит лишь для справки
BCR135E6433HTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Date Sheet
Lagernummer 1200039
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано：2011
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-65°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
- Максимальная потеря мощности：200mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Моментальный ток：100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：BCR135
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Частота перехода：150MHz
- Частота - Переход：150MHz
- База (R1)：10 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 k Ω
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 1200039
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
