Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные FJNS3202RTA
Изображение служит лишь для справки
FJNS3202RTA
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-226-3, TO-92-3 Short Body
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 Short Body
- Surface Mount：NO
- Transistor Element Material：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Number of Elements：1
- Packaging：Tape & Box (TB)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Terminal Finish：MATTE TIN
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Terminal Position：SINGLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT APPLICABLE
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT APPLICABLE
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Qualification Status：COMMERCIAL
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Power - Max：300mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN - Pre-Biased
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：30 @ 5mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：50V
- Transition Frequency：250MHz
- Frequency - Transition：250MHz
- Resistor - Base (R1)：10 k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：10 k Ω
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты