DTC123JUBTL

Name: ROHM Semiconductor DTC123JUBTL
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 5 (10 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
SC-85
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
Date Sheet

Lagernummer 3000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-85
Количество контактов：85
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 21
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：DTC123
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PDSO-F3
Выводной напряжение：100mV
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
Максимальная частота：250MHz
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
База (R1)：2.2 k Ω
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 k Ω
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3000

Итого $0.00000