DTA114EEBTL

Name: ROHM Semiconductor DTA114EEBTL
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.6 (14 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
SC-75, SOT-416
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Date Sheet

Lagernummer 9000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-75, SOT-416
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：30
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Максимальная потеря мощности：150mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：DTA114
Число контактов：3
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：250MHz
База (R1)：10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора：-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 k Ω
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 9000

Итого $0.00000