(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1117(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
RN1117(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-75, SOT-416
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Date Sheet
Lagernummer 1134
- 1+： $0.14805
- 10+： $0.13967
- 100+： $0.13177
- 500+： $0.12431
- 1000+： $0.11727
Zwischensummenbetrag $0.14805
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-75, SOT-416
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：100mW
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：250MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.1W
- База (R1)：10 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：4.7 k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 1134
- 1+： $0.14805
- 10+： $0.13967
- 100+： $0.13177
- 500+： $0.12431
- 1000+： $0.11727
Итого $0.14805
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
