(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PDTC115EE,115
Изображение служит лишь для справки
PDTC115EE,115
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-75, SOT-416
- BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 100KOHM / 100KOHM, 3-SOT-416 - More Details
Date Sheet
Lagernummer 23999
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-75, SOT-416
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：20mA
- Количество элементов：1
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2003
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：PDTC115
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：150mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.15W
- База (R1)：100 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：100 k Ω
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 23999
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
