Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTD113ECT116
Изображение служит лишь для справки
DTD113ECT116
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 1730
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2016
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- HTS Code：8541.21.00.75
- Max Power Dissipation：200mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PDSO-G3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Power - Max：200mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：33 @ 50mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 2.5mA, 50mA
- Transition Frequency：200MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：200MHz
- Resistor - Base (R1)：1 k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：1 k Ω
- VCEsat-Max：0.3 V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 1730
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты