Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PBRP113ET,215
Изображение служит лишь для справки
PBRP113ET,215
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Date Sheet
Lagernummer 6960
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：40V
- Number of Elements：1
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- Max Power Dissipation：250mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：PBRP113
- Pin Count：3
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：PNP - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：40V
- Max Collector Current：600mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：130 @ 300mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：750mV @ 6mA, 600mA
- Max Breakdown Voltage：40V
- Resistor - Base (R1)：1 k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：1 k Ω
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 6960
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты