Главное Датчики, Преобразователи Оптические датчики - Фотопрерыватели - Слотный тип - Выход транзистора OPB821S10Z
![](https://static.whisyee.com/dimg/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-5084.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
OPB821S10Z
-
TT Electronics/Optek Technology
-
Оптические датчики - Фотопрерыватели - Слотный тип - Выход транзистора
- Module, Pre-Wired
- SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
Date Sheet
Lagernummer 723
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Монтаж:Chassis Mount, Screw
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module, Pre-Wired
- Количество контактов:4
- Диэлектрический пробой напряжение:30V
- Количество элементов:1
- Рабочая температура:-40°C~85°C
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2006
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип:Unamplified
- Максимальная рабочая температура:85°C
- Минимальная температура работы:-40°C
- Выводной напряжение:30V
- Конфигурация вывода:Phototransistor
- Распад мощности:100mW
- Напряжённая мощность:50mA
- Напряжение включения:1.7V
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):30V
- Дистанция обнаружения:0.080 (2.03mm)
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):30V
- Обратное пробивное напряжение:2V
- Метод обнаружения:Through-Beam
- Максимальное напряжение разрушения:30V
- Текущий - постоянный прямой (Если) (Макс.):50mA
- Ток входа:20mA
- Обратная напряжение (DC):2V
- Сенсорный экран:Infrared (IR)
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 723
Итого $0.00000