Главное Датчики, Преобразователи Оптические датчики - Фотопрерыватели - Слотный тип - Выход транзистора EE-SJ3-G
![](https://static.whisyee.com/oimg/omron-eesj3g-4422.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
EE-SJ3-G
-
Omron Electronics Inc-EMC Div
-
Оптические датчики - Фотопрерыватели - Слотный тип - Выход транзистора
- PCB Mount
- SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
Date Sheet
Lagernummer 581
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:9 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:PCB Mount
- Количество контактов:4
- Диэлектрический пробой напряжение:30V
- Рабочая температура:-25°C~85°C
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2003
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):Not Applicable
- Тип:Unamplified
- Количество функций:1
- Конфигурация вывода:Phototransistor
- Распад мощности:100mW
- Напряжённая мощность:50mA
- Время ответа:4μs, 4μs
- Время подъема:4μs
- Напряжение включения:1.2V
- Время падения (тип):4 μs
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):30V
- Максимальный ток сбора:20mA
- Дистанция обнаружения:0.134 (3.4mm)
- Метод обнаружения:Through-Beam
- Обратная напряжение (DC):4V
- Максимальная тёмно-проводимость:200nA
- Ширина слота-ном:3.4mm
- Ток коллектора включения-ном:0.5mA
- REACH SVHC:Unknown
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 581
Итого $0.00000