Главное Датчики, Преобразователи Оптические датчики - Фотопрерыватели - Слотный тип - Выход транзистора EE-SH3-GS
![](https://static.whisyee.com/dimg/omronelectronicsincemcdiv-eesh3gs-5233.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
EE-SH3-GS
-
Omron Electronics Inc-EMC Div
-
Оптические датчики - Фотопрерыватели - Слотный тип - Выход транзистора
- PCB Mount
- OMRON ELECTRONIC COMPONENTS EESH3GS Transmissive Photo Interrupter, Phototransistor, 50 mA, 1.2 V, 4 V, 2.1 mm, 3.4 mm
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:9 Weeks
- Корпус / Кейс:PCB Mount
- Вид крепления:Solder
- Монтаж:Solder, Through Hole
- Количество контактов:4
- Диэлектрический пробой напряжение:30V
- Опубликовано:2003
- Пакетирование:Bulk
- Рабочая температура:-25°C~85°C
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):Not Applicable
- Тип:Unamplified
- Дополнительная Характеристика:HIGH SENSITIVITY
- Количество функций:1
- Конфигурация вывода:Phototransistor
- Распад мощности:100mW
- Ток выпуска:20mA
- Напряжённая мощность:50mA
- Время ответа:4μs, 4μs
- Время подъема:4μs
- Напряжение включения:1.2V
- Время падения (тип):4 μs
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):30V
- Максимальный ток сбора:20mA
- Дистанция обнаружения:0.134 (3.4mm)
- Метод обнаружения:Through-Beam
- Обратная напряжение (DC):4V
- Максимальная тёмно-проводимость:200nA
- Ширина слота-ном:3.4mm
- Ток коллектора включения-ном:0.5mA
- REACH SVHC:Unknown
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000