Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 103

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:14 Weeks
  • Монтаж:Chassis Mount, Screw, Wire
  • Вид крепления:Chassis Mount, Wire Lead
  • Корпус / Кейс:Module, Pre-Wired
  • Количество контактов:4
  • Материал корпуса:Polysulfone
  • Материал корпуса:Polysulfone
  • Диэлектрический пробой напряжение:30V
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):30mA
  • Количество элементов:1
  • Рабочая температура:-40°C~85°C
  • Пакетирование:Bulk
  • Опубликовано:1997
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Тип:Unamplified
  • Максимальная рабочая температура:85°C
  • Минимальная температура работы:-40°C
  • Максимальная потеря мощности:100mW
  • Выводной напряжение:30V
  • Выводной тип:Phototransistor
  • Каналов количество:1
  • Конфигурация вывода:Transistor
  • Распад мощности:100mW
  • Напряжённая мощность:50mA
  • Время ответа:15μs
  • Время подъема:15μs
  • Напряжение включения:1.6V
  • Время падения (тип):15 μs
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):30V
  • Максимальный ток сбора:30mA
  • Дистанция обнаружения:0.125 (3.18mm)
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):30V
  • Обратное пробивное напряжение:3V
  • Метод обнаружения:Through-Beam
  • Текущий - постоянный прямой (Если) (Макс.):50mA
  • Ток входа:10mA
  • Обратная напряжение (DC):3V
  • Тёмный ток:100nA
  • REACH SVHC:No SVHC
  • Состояние RoHS:RoHS Compliant

Со склада 103

Итого $0.00000