Главное Датчики, Преобразователи Оптические датчики - Фотопрерыватели - Слотный тип - Выход транзистора GP1S25J0000F
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
GP1S25J0000F
-
Sharp Microelectronics
-
Оптические датчики - Фотопрерыватели - Слотный тип - Выход транзистора
- 4-SMD
- SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD
Date Sheet
Lagernummer 2
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount, Through Hole
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:4-SMD
- Количество контактов:4
- Диэлектрический пробой напряжение:35V
- Максимальный коллекторный ток (Ic):20mA
- Количество элементов:1
- Рабочая температура:-25°C~85°C
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2006
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):3 (168 Hours)
- Тип:Unamplified
- Максимальная рабочая температура:85°C
- Минимальная температура работы:-25°C
- Конфигурация вывода:Phototransistor
- Распад мощности:100mW
- Напряжённая мощность:50mA
- Время ответа:35μs, 35μs
- Время подъема:100μs
- Время падения (тип):100 μs
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):35V
- Максимальный ток сбора:20mA
- Дистанция обнаружения:0.063 (1.6mm)
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):35V
- Обратное пробивное напряжение:6V
- Метод обнаружения:Through-Beam
- Текущий - постоянный прямой (Если) (Макс.):50mA
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 2
Итого $0.00000