Каталог

Указатель продукции

0

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:10 Weeks
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:PCB Mount
  • Количество контактов:4
  • Материал корпуса:Polysulfone
  • Диэлектрический пробой напряжение:30V
  • Количество элементов:1
  • Рабочая температура:-40°C~85°C
  • Пакетирование:Bulk
  • Опубликовано:1997
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Тип:Unamplified
  • Максимальная рабочая температура:85°C
  • Минимальная температура работы:-40°C
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:30V
  • Максимальная потеря мощности:100mW
  • Выводной напряжение:30V
  • Выводной тип:Phototransistor
  • Каналов количество:1
  • Конфигурация вывода:Phototransistor
  • Распад мощности:100mW
  • Ток выпуска:82mA
  • Напряжённая мощность:50mA
  • Время ответа:15μs
  • Время подъема:15μs
  • Напряжение включения:1.6V
  • Время падения (тип):15 μs
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):30V
  • Дистанция обнаружения:0.200 (5.08mm)
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):30V
  • Обратное пробивное напряжение:3V
  • Метод обнаружения:Through-Beam
  • Текущий - постоянный прямой (Если) (Макс.):50mA
  • Ток входа:50mA
  • Сенсорный экран:Infrared (IR)
  • Тёмный ток:100nA
  • Высота:6.35mm
  • Длина:12.95mm
  • Ширина:6.86mm
  • Корпусировка на излучение:No
  • Состояние RoHS:RoHS Compliant
  • Без свинца:Contains Lead

Со склада 0

Итого $0.00000