(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RUE003N02TL
Изображение служит лишь для справки
RUE003N02TL
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-75, SOT-416
- MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：7 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-75, SOT-416
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：300mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：150mW Ta
- Время отключения：15 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：150mW
- Время задержки включения：5 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1 Ω @ 300mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：25pF @ 10V
- Время подъема：10ns
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Время падения (тип)：10 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：300mA
- Пороговое напряжение：300mV
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Сопротивление открытого канала-макс：1.4Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Номинальное Vgs：300 mV
- Высота：700μm
- Длина：1.6mm
- Ширина：800μm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
