MMBZ6V8ALT1G

Name: ON Semiconductor MMBZ6V8ALT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (20 reviews)

ON Semiconductor
Диоды TVS
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TVS DIODE 4.5V 9.6V SOT23-3
Date Sheet

Lagernummer 42000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал диодного элемента：SILICON
Пороговая напряжённость / В：6.46V
Количество элементов：2
Обратная напряженность отстоя：4.5V
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Тип：Zener
Применение：General Purpose
Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
Мощность рейтинга：24W
Ток постоянного напряжения - номинальный：6.8V
Максимальная потеря мощности：24W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Глубина：1.3mm
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMBZ*A
Число контактов：3
Входной напряжение питания：4.5V
Рабочее напряжение：4.5V
Ток утечки：500nA
Конфигурация элемента：Common Anode
Распад мощности：24W
Защита линии питания：No
Максимальный обратный ток утечки：500nA
Максимальная напряжение-ограничение @ Ipp：9.6V
Уровень задержки：9.6V
Пиковый импульсный ток：2.5A
Максимальный импульсный ток：2.5A
Максимальная импульсная мощность：24W
Направление：Unidirectional
Ток испытания：1mA
Однонаправленные каналы：2
Обратное пробивное напряжение：6.46V
Максимальное напряжение разрушения：7.14V
Защита от электростатического разряда：Yes
Высота：1.01mm
Длина：2.9mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 42000

Итого $0.00000